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製品・サービス

ハイパーVIA UV-YAG レーザーマイクロビアにより配線収容度ネックを解消

従来のマイクロビア形成技術は、ガラスクロスを含まない樹脂材料を用いなければならず、基板と搭載部品との熱膨張率の差によるストレスを原因とする障害が報告されています。OKIプリンテッドサーキットが開発したハイパフォーマンスビアシステム、ハイパービアは、UV-YAGレーザーによりマイクロビアを形成する技術で、ガラスクロスを含む従来材料の使用が可能です。これにより、従来工法と同等レベルの信頼性を確保しています。

さらに、1-3層接続、1-4層接続が可能で、高い配線収容率を実現しています。たとえば0.5mmピッチ256ピンCSPのフルグリッドからの配線引き出しが可能です。

構造例 (6層)

構造例 (6層)の図案

256ピンWL-CSPの配線例

256ピンWL-CSPの配線例の図案

256ピンWL-CSPの配線例の図案

パッケージの高密度化に伴い、プリント配線板の配線収容度がネックに

電子回路の高集積化への要望の高まりによって、ICパッケージはますます、多ピン化・小型化する傾向にあり、パッケージの高密度化が進んでいます。しかしながら、BGAやCSPなどの高集積ICパッケージをプリント配線板に搭載するには、従来のスルーホール形成技術では配線のためのスペースを十分に確保することが難しくなっています。OKIプリンテッドサーキットでは、このような配線収容度のネックを解消し、高集積ICパッケージの搭載を可能とするためのマイクロビア形成技術、ハイパービアを開発いたしました。

0.40mmピッチBGA対応 ハイパービアデザインルール

イメージ図断面

イメージ図断面の図案

イメージ図断面の図案

No. 項目 仕様 備考
A L1-L2 層間厚 0.06 mm 0.1 mm  
B L1-L2 VIA径 0.05 mm MN レーザー VIA
C L1-L2 表層ランド径 B+0.25 mm MN B+0.30mm以上が望ましい
D L1-L2 中層ランド径 B+0.10 mm MN B+0.15mm以上が望ましい
E 貫通 VIA径 0.25 mm MN ドリル径
F 貫通 VIAランド径 E+0.25 mm  
G 表層 L/S 100/100 µm  
H 内層 L/S 50/50 µm 引き出し部分のみ その他は100/100

イメージ図断面の写真

0.50mmピッチBGA対応 ハイパービアデザインルール

イメージ図断面

イメージ図断面の図案

イメージ図断面の図案

No. 項目 仕様 備考
A L1-L2 層間厚 0.06 mm 0.1 mm  
B L1-L2 VIA径 0.05 mm MN レーザー VIA
C L1-L2 表層ランド径 B+0.25 mm MN B+0.30mm以上が望ましい
D L1-L2 中層ランド径 B+0.10 mm MN B+0.15mm以上が望ましい
E L2-L7 VIA径 0.25 mm MN ドリル径
F L2-L7 VIAランド径 E+0.25 mm  
G 貫通 VIA径 0.25 mm MN ドリル径
H 貫通 VIAランド径 G+0.25 mm  
I 表層 L/S 100/100 µm  
J 内層 L/S 50/50 µm 引き出し部分のみ その他は100/100

 

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